[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110184533.X | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113284850A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 朱峯庆;李威养;杨丰诚;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
公开了用于实施预清洁工艺以去除半导体器件中的氧化物的方法以及由相同方法形成的半导体器件。在实施例中，方法包括：在半导体衬底上方形成浅沟槽隔离区域；在浅沟槽隔离区域上方形成栅极堆叠件；使用各向异性蚀刻工艺蚀刻与栅极堆叠件相邻的浅沟槽隔离区域；以及在用各向异性蚀刻工艺蚀刻浅沟槽隔离区域之后，用各向同性蚀刻工艺蚀刻浅沟槽隔离区域，用于各向同性蚀刻工艺的工艺气体包括氟化氢(HF)和氨(NH |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
