[发明专利]集成电路器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110184671.8 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113314502A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 林杏莲;梁晋玮;匡训冲;杨静茹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了界面层，该界面层将亲水层间电介质结合至疏水间隙填充电介质。疏水间隙填充电介质在设置在半导体衬底上方的两个金属互连层之间的器件阵列中的器件之间的间隙上方延伸并且填充间隙，并且是可流动CVD工艺的产物。界面层提供了亲水上表面，层间电介质粘附至该亲水上表面上。可选地，界面层也是可流动CVD工艺的产物。可选地，界面层可以是氮化硅或亲水的另一电介质。界面层的晶圆接触角(WCA)可以介于疏水电介质的WCA和层间电介质的WCA之间。本发明的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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