[发明专利]晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构及封装工艺在审
| 申请号： | 202110184861.X | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN112992809A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王赛 | 申请（专利权）人： | 江苏芯德半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京华恒专利代理事务所(普通合伙) 32335 | 代理人： | 宋方园 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构及封装工艺，该结构包括芯片，芯片背面贴合有ABF膜，在ABF膜后面粘合有一定厚度的支撑硅层，支撑硅层未经过磨片处理，芯片正面有第一压区和第二压区，在所述第一压区和第二压区正面会通过光刻、显影、溅射、电镀等工艺，形成金属走线层、薄膜介质层、金属电极和焊球凸点。本发明的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，通过在芯片外设有绝缘介质胶膜和支撑层，能够大大的减小芯片的翘曲度，而且由于在芯片外设有支撑硅层，支撑硅层能有效的对芯片散热，提供更好的散热需求，并可以根据客户的封装需求灵活定制封装厚度的新型封装结构；根据客户需求提供定制化的芯片封装厚度需求。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 嵌入式 硅片 支撑 封装 结构 工艺 | ||
【主权项】：
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