[发明专利]半导体封装件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110185521.9 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113140540A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 曾淑容;吕学德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体封装件包括：衬底；第一介电层，位于衬底上方；第一接合焊盘和第二接合焊盘，位于第一介电层上方，第一接合焊盘具有面向第二接合焊盘的第一侧壁；第二介电层，位于第一接合焊盘和第二接合焊盘上方；以及开口，穿过第二介电层并且从第一接合焊盘延伸至第二接合焊盘，开口包括位于第一接合焊盘上方并且暴露第一接合焊盘的第一区域，其中，在顶视图中，开口暴露第一侧壁的设置在与第一侧壁相交的第一区域的第一边缘和第二边缘之间的第一段，其中，第一侧壁的第一段位于第一侧壁的第二段和第三段之间，第二段由第二介电层覆盖。本申请的实施例还涉及形成半导体封装件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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