[发明专利]沟道孔缺陷的改进方法、检测方法及检测系统有效
| 申请号： | 202110187565.5 | 申请日： | 2021-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN112951737B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 鲍凤;付宇昂;张文杰;唐帅;王菲 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;G06T7/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种沟道孔缺陷的改进方法、检测方法及检测系统，所述检测方法包括：提供待检测半导体结构，所述待检测半导体结构包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底上的牺牲层和隔离层交替层叠的堆叠结构，贯穿所述堆叠结构的若干沟道孔，位于所述沟道孔底部的半导体衬底中的凹槽，位于凹槽中的半导体外延层；位于所述沟道孔侧壁表面和部分半导体外延层表面的电荷存储层；位于所述电荷存储层表面的沟道层；提供标准灰度图像；去除所述半导体衬底上的堆叠结构，暴露出所述半导体外延层；通过检测获得所述半导体外延层表面的灰度图像；将所述检测获得的灰度图像与标准灰度图像进行比较，判断所述沟道孔是否存在DVC缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 缺陷 改进 方法 检测 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
