[发明专利]多功能半导体封装结构和多功能半导体封装结构制作方法有效

专利信息
申请号: 202110190861.0 申请日: 2021-02-20
公开(公告)号: CN112551476B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 孙成富;钟磊;何正鸿 申请(专利权)人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00;H01Q1/22
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 徐丽
地址: 315400 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请实施例提供了一种多功能半导体封装结构和多功能半导体封装结构制作方法,多功能半导体封装结构包括基板、MEMS芯片、金属盖、射频芯片、塑封体和天线;所述MEMS芯片位于所述基板的一侧;所述金属盖和所述MEMS芯片位于所述基板同一侧,所述金属盖用于保护所述MEMS芯片并形成容置所述MEMS芯片的空腔;所述射频芯片位于所述金属盖远离所述MEMS芯片的一侧;所述塑封体和所述金属盖位于所述基板同一侧,所述塑封体用于保护所述射频芯片、所述金属盖和所述基板;所述天线位于所述塑封体的表面。通过上述设置,能够实现半导体封装结构的多功能化。
搜索关键词: 多功能 半导体 封装 结构 制作方法
【主权项】:
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