[发明专利]晶粒距离调整方法在审
| 申请号： | 202110191490.8 | 申请日： | 2021-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN114975214A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 卢彦豪 | 申请（专利权）人： | 梭特科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;曹娜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶粒距离调整方法，包括准备、固定、距离调整及转移等步骤。在固定步骤中，固定装置通过第一负压吸附主要目标区块的周围。在距离调整步骤中，固定装置通过第二负压吸附或通过正压吹拂主要目标区块，主要目标区块受到第二负压的吸引而随着顶推件远离基板且向外撑开或受到正压的吹拂而靠近基板且向外撑开，使得主要目标区块内的多个晶粒的间隔距离扩大至适当距离。在转移步骤中，顶推件推动主要目标区块往靠近基板的方向移动，直至主要目标区块内的多个晶粒转移至基板为止，位于基板上的多个晶粒的间隔距离维持在适当距离。本方案，能够使得主要目标区块内的多个晶粒维持在适当距离，保证最终转移到基板上的晶粒数量与预定数量一致。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 距离 调整 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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