[发明专利]一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉在审
| 申请号： | 202110191534.7 | 申请日： | 2021-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN112833660A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 宋立禄;张海林;吴季浩;刘国霞;滕玉朋 | 申请（专利权）人： | 青岛赛瑞达电子装备股份有限公司 |
| 主分类号： | F27B1/00 | 分类号： | F27B1/00;F27B1/10;F27B1/20;F27B1/21;F27B1/26;F27D1/18;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉，包括设备架体，所述设备架体内后端设有加热炉体，所述加热炉体底部设有旋开炉门，所述加热炉体底端一侧设有升降炉门直线单元，所述升降炉门直线单元安装在设备架体内，所述升降炉门直线单元靠近加热炉体一侧底端连接有升降炉门，所述升降炉门顶面设有晶圆舟；炉型从传统的卧式变为立式，可以彻底解决因炉管直径大卧式方式存在的炉管晶片放置的截面的温度误差问题，同时实现晶片的进、出炉和出炉后机械手实施晶片插、取片和传片的自动化，是集成电路芯片的基础工艺和设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 集成电路 立式 扩散 氧化 | ||
【主权项】：
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