[发明专利]一种全硅结构MEMS微流道散热器及其加工方法有效
| 申请号： | 202110194398.7 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN113023663B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张乐民;刘福民;刘宇;马骁;张树伟;杨静;梁德春 | 申请（专利权）人： | 北京航天控制仪器研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 100854 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种全硅结构MEMS微流道散热器及其加工方法，由下至上包括依次键合的第一硅结构层(1)、第二硅结构层(2)和第三硅结构层(3)；在硅结构内部加工有微流孔和微流道，形成微流道通路，液体在微流道内部循环流动，将热量从待散热元件带走。整个微流道散热器均由高热导率的单晶硅材料构成，能够实现良好的散热效果；各层之间无中间层，避免了由于各层材料热膨胀系数不匹配造成的不同温度条件下结构弯曲形变，降低结构内部应力；单晶硅具有很高的杨氏模量，三层结构通过硅‑硅直接键合结合起来，具有很高的键合强度，提高结构可靠性。采用MEMS工艺加工，能够显著降低微流道散热器尺寸，实现批量化加工，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 mems 微流道 散热器 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
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