[发明专利]三维存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110196112.9 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN112951802A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王迪;张中;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙) 11455 | 代理人： | 吴京顺 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种三维存储器件及其制造方法。该三维存储器件包括：存储芯片，包括：第一衬底；堆叠结构，设置于第一衬底上，包括在垂直于堆叠结构的堆叠方向的第一方向上依次设置的：第一存储阵列结构、阶梯结构以及第二存储阵列结构，阶梯结构与第一存储阵列结构和第二存储阵列结构电连接；贯穿阵列触点结构，设置于第一存储阵列结构和第二存储阵列结构之间并沿堆叠方向贯穿堆叠结构；互连层，设置于堆叠结构上，互连层通过贯穿阵列触点与衬底电连接；以及第一键合层，设置于互连层上；以及外围芯片，设置于存储芯片上，与第一键合层键合，并通过第一键合层、互连层以及贯穿阵列触点结构而与第一衬底电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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