[发明专利]OPC修正方法在审
| 申请号： | 202110196848.6 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN112987488A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张月雨 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种OPC修正方法，包括：步骤一、建立多个精度不同的OPC模型；步骤二、提供需要做OPC修正的目标版图；步骤三、选择精度最低的OPC模型对目标版图进行多次OPC运算并形成对应的OPC中间层；步骤四、选择精度更高一层的OPC模型对前一层精度的OPC模型形成的OPC中间层进行多次OPC运算并形成对应的OPC中间层；步骤五、重复步骤四直至形成精度次高的OPC模型对应的OPC中间层；步骤六、选择精度最高的OPC模型对精度次高的OPC模型对应的OPC中间层进行多次OPC运算形成最终OPC结果。本发明能在保证修正精度的条件下，降低总OPC运算时间。 | ||
| 搜索关键词： | opc 修正 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
