[发明专利]一种AlGaInP发光二极管芯片结构有效
| 申请号： | 202110197610.5 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN112786757B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吕全江;刘军林;刘桂武;乔冠军 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体发光器件领域，尤其是涉及一种AlGaInP发光二极管结构。本发明采用N型Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 algainp 发光二极管 芯片 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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