[发明专利]半导体结构和集成电路以及用于形成三维沟槽电容器的方法在审
| 申请号： | 202110197888.2 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN113053855A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 黄信华;喻中一;林勇志;朱瑞霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/64;H01L27/08;H01L21/768;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的各种实施例针对三维(3D)沟槽电容器及其形成方法。在一些实施例中，第一衬底位于第二衬底上面，使得第一衬底的正面面对第二衬底的正面。第一沟槽电容器和第二沟槽电容器分别延伸至第一衬底的正面和第二衬底的正面中。多个导线和多个通孔堆叠在第一沟槽电容器和第二沟槽电容器之间，并且电连接至第一沟槽电容器和第二沟槽电容器。第一贯穿衬底通孔(TSV)从第一衬底的背面延伸穿过第一衬底，并且导线和通孔将第一TSV电连接至第一沟槽电容器和第二沟槽电容器。第一沟槽电容器和第二沟槽电容器及其之间的电连接共同限定3D沟槽电容器。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构和集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 集成电路 以及 用于 形成 三维 沟槽 电容器 方法 | ||
【主权项】：
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