[发明专利]半导体器件、半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110197939.1 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN113299733A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 黄懋霖;朱龙琨;徐崇威;余佳霓;江国诚;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/28;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据本公开的半导体器件包括：鳍结构，位于衬底上方；竖直堆叠的硅纳米结构，设置在鳍结构上方；隔离结构，设置在鳍结构周围；含锗界面层，包围在每一个竖直堆叠的硅纳米结构周围；栅极介电层，包围在含锗界面层周围；以及栅电极层，包围在栅极介电层周围。本申请的实施例提供了半导体器件、半导体结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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