[发明专利]相变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110198358.X | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN112951991B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 杨艳娟;刘峻;杨红心 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;H10N79/00;H10B63/10 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种相变存储器及其制备方法，所述相变存储器包括：多个并列排列的相变存储单元，位于衬底上；电绝缘的隔离结构，位于相邻的所述相变存储单元之间，用于电隔离相邻的所述相变存储单元；其中，所述隔离结构的组成材料包括陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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