[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202110198485.X | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN113113311A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈仕承;林群雄;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体装置的形成方法。接收半导体结构，其具有第一鳍状物与第二鳍状物。形成第一外延结构于第一鳍状物上，且第一外延结构具有第一型掺质。形成第一盖层于第一外延结构上。形成第二外延结构于第二鳍状物上，第二外延结构具有第二型掺质，且第二型掺质与第一型掺质不同。沉积第一金属于第二外延结构与第一盖层上。自第一金属与第二外延结构形成第一硅化物层，并自第一金属与第一盖层形成第二盖层。选择性移除第二盖层。沉积第二金属于第一外延结构与第二外延结构上。自第二金属与第一外延结构形成第二硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
