[发明专利]一种基于SiC DSRD器件的脉冲压缩结构有效
申请号: | 202110199288.X | 申请日: | 2021-02-23 |
公开(公告)号: | CN113009425B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 陈万军;张柯楠;孙瑞泽;夏云 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03K3/57 | 分类号: | H03K3/57 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 孙一峰 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及功率半导体技术,特别涉及一种对SiC DSRD器件的脉冲压缩结构。本发明的基于SIC DSRD器件的脉冲压缩结构,包括基本的信号发生器,脉冲压缩技术,以及脉冲输出,其中脉冲压缩技术包括多路并联结构和多级串联结构,通过多路并联和多级串联实现对DSRD器件的脉冲压缩,可以极大的增加脉冲输出峰值和缩短脉冲前沿。本发明克服了传统的SiC DSRD器件的脉冲输出方法其脉冲输出低,脉冲前沿慢,以及频率特性不高的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 sic dsrd 器件 脉冲 压缩 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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