[发明专利]双向可控硅整流器

摘要

本发明提供一种双向可控硅整流器包括：第一导电型的衬底、第二导电型的阱区、浅沟槽隔离结构、第一导电型的六个重掺杂区、第二导电型的六个重掺杂区以及第一导电型的四个静电放电(ESD)注入层。在所述阱区中有并排的四个有源区，且中间有源区内有正向与反向的可控硅整流器以及所述ESD注入层，两侧有源区内有正向与反向的二极管，且在所述可控硅整流器与所述二极管之间设置有与第一导电型的ESD注入层接触的第一导电型的重掺杂区，使所述二极管的第二导电型的重掺杂区与前述第一导电型的重掺杂区电连接，因此整个双向可控硅整流器可增加两条由正向与反向二极管构成的低压辅助触发通路，以大幅降低双向可控硅整流器在正向和反向工作模式下的触发电压。