[发明专利]一种制备碳化硅粉料的方法及装置有效

专利信息
申请号: 202110201671.4 申请日: 2021-02-23
公开(公告)号: CN112850714B 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 李加林;刘星;李斌;孙元行;刘鹏飞;李博;侯建国;刘家朋 申请(专利权)人: 山东天岳先进科技股份有限公司
主分类号: C01B32/984 分类号: C01B32/984
代理公司: 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 代理人: 张伟朴
地址: 250118 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种制备碳化硅粉料的方法及装置,该方法包括:(1)填料阶段;(2)升温阶段:将填料后的坩埚置于炉体内,对所述坩埚进行加热,控制坩埚顶端中心与坩埚顶端边缘的温度差为△T1;(3)合成阶段:保持坩埚顶端中心的温度不变,控制保温盖向上移动,控制坩埚顶端中心与坩埚顶端边缘的温度差减少至△T3,按照高温自蔓延反应合成碳化硅粉料。通过在合成阶段,控制保温盖向上移动,且同时控制坩埚顶端中心与坩埚顶端边缘的温度差减少至△T3,实现径向温梯的定向定量调节,逐渐减少径向温梯,使得粉料发生重结晶反应,形成粒径均匀的碳化硅颗粒,提高碳化硅粉料的一致性。
搜索关键词: 一种 制备 碳化硅 方法 装置
【主权项】:
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