[发明专利]锗单晶及锗单晶的热处理工艺在审
| 申请号： | 202110202067.3 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113073386A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王博;冯德伸;易见伟;王宇;李燕;马远飞;于洪国;林泉;雷同光 | 申请（专利权）人： | 有研光电新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B33/02;C22F1/02;C22F1/16 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 065001 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种锗单晶及锗单晶的热处理工艺，该热处理工艺包括以下步骤：在惰性气氛中，对锗单晶依次进行第一恒温阶段、第一降温阶段、第二恒温阶段、第二降温阶段的处理；其中，第一恒温阶段为：升温至750～850℃，然后恒温保持一定时间；第一降温阶段为：以一定的速度降温至450～550℃；第二恒温阶段为：在450～550℃的条件下恒温一定时间，并且所述第二恒温阶段的恒温时间大于所述第一恒温阶段的恒温时间；第二降温阶段为：以一定的速度降温至20～30℃。该热处理工艺能够有效消除250mm以上大直径锗单晶中的残余应力，提高锗单晶的光学均匀性，对红外锗单晶加工和制造环节有重要作用。 | ||
| 搜索关键词： | 锗单晶 热处理 工艺 | ||
【主权项】：
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