[发明专利]一种高孔隙率合成硅酸钙的制备方法在审
| 申请号： | 202110202212.8 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114956106A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张权;彭建军;陈雪梅 | 申请（专利权）人： | 中国制浆造纸研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/24 | 分类号： | C01B33/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100102 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高孔隙率合成硅酸钙的制备方法，涉及无机材料领域。本发明的方法步骤为：S1：配制合适浓度的钙源材料、硅源材料和结构控制剂备用；S2：将钙源材料、硅源材料和结构控制剂以合适比例加入反应釜中并控制合适的搅拌速度、时间和温度进行合成反应；S3：合成反应完毕后将产物进行洗涤得到高孔隙率合成硅酸钙。本发明与现有技术相比，本发明通过合成工艺优化，合成硅酸钙呈薄片堆积状，孔的直径较大、深度较深，孔隙结构发达，显著提高了合成硅酸钙的孔隙率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 孔隙率 合成 硅酸 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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