[发明专利]一种栅极沟槽形成方法及DRAM制造方法

摘要

本发明涉及一种栅极沟槽形成方法及DRAM制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有不同硬掩模材料(SOH和多晶硅)导致最终形成的字线沟槽的关键尺寸散布和轮廓不均匀的问题。方法包括：在半导体衬底上方依次形成栅极掩模层、第一旋涂硬掩模层和光刻掩模层；对第一旋涂硬掩模层进行刻蚀以形成图案化的第一旋涂硬掩模层；沉积氧化物层，以及形成第二旋涂硬掩模层；对第二旋涂硬掩模层进行刻蚀以形成图案化的第二旋涂硬掩模层；去除氧化物层中的部分以形成组合硬掩模图案；以及将组合硬掩模图案转移至半导体衬底以形成栅极沟槽，第一旋涂硬掩模层的材料与第二旋涂硬掩模层的材料相同。将字线沟槽关键尺寸散布和轮廓不均匀性最小化。