[发明专利]低损耗的钽-硅复合掺杂锰锌铁氧体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110206248.3 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN112851327A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 江昊杰;严鹏飞;严彪 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26;C04B35/622;C04B35/63 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 李新新 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低损耗的钽‑硅复合掺杂锰锌铁氧体材料及其制备，材料包括主料和掺杂料，主料包括氧化铁、氧化锰和氧化锌，氧化铁、氧化锰和氧化锌的质量比为(68～71):(20～25):(6～9)，掺杂料包括钽和硅。制备为：S1：将主料加入球磨机进行球磨，得到混合料A；S2：将混合料A进行预烧，然后冷却至室温得到预烧料B；S3：将预烧料B和掺杂料加入球磨机进行二次球磨，后烘干得到混合料C；S4：向混合料C中加入聚乙烯醇溶液混合进行喷雾造粒，后过筛得到粉末颗粒；S5：将粉末颗粒放入模具进行压制成型，得到坯件；S6：将坯件在平衡气氛下进行烧结。与现有技术相比，本发明的材料具有较高的饱和磁通密度以及较低的高频损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 损耗 复合 掺杂 铁氧体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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