[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 202110206778.8 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN112838052A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李治朝 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 蔡光仟 |
| 地址： | 215301 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，该制作方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成钝化层薄膜，对所述钝化层薄膜进行蚀刻形成具有棱镜结构的第一钝化层；在所述第一绝缘层上形成覆盖所述第一钝化层的平坦化层；在所述平坦化层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成第一金属薄膜，对所述第一金属薄膜进行蚀刻制作第一金属层，所述第一金属层包括栅极和扫描线；对所述第二绝缘层进行蚀刻，使所述平坦化层部分露出。本发明能够很好地解决严重气泡不良、开口率降低、摩尔纹不佳和显示亮度不均匀等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山龙腾光电股份有限公司，未经昆山龙腾光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110206778.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
