[发明专利]套刻标记的形成方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110209604.7 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113013076B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 郭帅 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种套刻标记的形成方法及半导体结构。所述套刻标记的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底表面具有标记层和覆盖于所述标记层表面的第一掩膜层，所述标记层包括第一标记区域和位于所述第一标记区域端部的第二标记区域；于所述第一掩膜层的第一图形区形成多个第一沟槽，于所述第一掩膜层第二图形区域形成多个第二沟槽；形成覆盖所述第一沟槽侧壁和所述第二沟槽侧壁的间隔层；回填第一沟槽和第二沟槽，形成第二掩膜层；去除所述间隔层；刻蚀所述标记层，于所述第一标记区域形成主套刻标记，并于所述第二标记区域形成伪套刻标记。本发明能够形成完整的、并完全贯穿标记层的主套刻标记，确保了半导体制程工序的顺利进行。 | ||
| 搜索关键词： | 标记 形成 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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