[发明专利]半导体工艺的仿真方法有效
| 申请号： | 202110211732.5 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113094866B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 全芯智造技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F17/15 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;张振军 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体工艺的仿真方法，包括：确定第一空间分布函数，并作为半导体工艺层在生长起始时的厚度与位置的分布函数，以及，确定第二空间分布函数，并作为所述半导体工艺层在生长结束时的厚度与位置的分布函数，其中，所述半导体工艺层通过生长工艺生长在基底材料层的表面；根据所述第一空间分布函数以及第二空间分布函数，确定所述半导体工艺层的各个位置的反应速度函数；根据所述反应速度函数，确定所述基底材料层在生长工艺中的点缺陷产生速率的仿真结果。本发明可以提高仿真结果的准确性，增强可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 仿真 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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