[发明专利]半导体结构的制备方法和半导体结构有效
| 申请号： | 202110213894.2 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113035696B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 吕游;杨蕾 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，该制备方法包括：于衬底上形成第一图案层，第一图案层包括位于阵列区域上的第一图形和位于外围区域上的第二图形；于第一图案层上形成掩膜材料层，掩膜材料层包括位于外围区域上的第一掩膜材料层、位于边缘区域上的第二掩膜材料层及位于中心区域上的第三掩膜材料层，第二掩膜材料层大于第一掩膜材料层的厚度；确定边缘区域的位置及第二掩膜材料层和第三掩膜材料层的厚度差；根据边缘区域的位置和厚度差，修正第二掩膜材料层的厚度，修正后的第二掩膜材料层和第三掩膜材料层的厚度差位于目标厚度差的范围内；图案化修正后的掩膜材料层形成掩膜层，根据掩膜层图案化第一图案层，形成第二图案层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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