[发明专利]半导体器件和图像传感器以及制造图像传感器的方法在审
| 申请号： | 202110214299.0 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113314554A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 谢丰键;李国政;陈英豪;郑允玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请的实施例公开了一种具有应力调整层的图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括具有前侧表面和与前侧表面相反的背侧表面的衬底、设置在衬底的背侧表面上的抗反射涂层(ARC)、设置在ARC层上的介电层、设置在介电层上的金属层以及设置在金属层上的应力调整层。应力调整层包括富硅氧化物层。应力调整层中的硅和氧原子的浓度分布不重叠并且彼此不同。图像传感器还包括设置在应力调整层上的氧化物栅格结构。本申请的实施例还提供了一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 图像传感器 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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