[发明专利]集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110215037.6 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113035955B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李立均;林志东;彭志高;陶永洪;郭元旭;王敏 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/872;H01L29/06;H01L27/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 彭星 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该器件的P阱区和P+区相邻，N+区位于P阱区内，P+区与N+区相邻；欧姆接触金属位于肖特基接触金属与栅氧化层之间，栅氧化层上形成有多晶硅栅电极，多晶硅栅电极和栅氧化层的外周包覆有层间介质；层间介质、欧姆接触金属和肖特基接触金属上方覆盖有源极；栅氧化层覆盖P阱区表面，且其两侧分别覆盖N+区和N‑外延层内的JFET区的部分表面，欧姆接触金属覆盖P+区和N+区的部分表面，肖特基接触金属位于远离N+区的P+区一侧。该集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，能够减小栅极电容，提高击穿电压，进而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 肖特基 二极管 碳化硅 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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