[发明专利]一种嵌套式石墨盘在审
申请号: | 202110215454.0 | 申请日: | 2021-02-26 |
公开(公告)号: | CN113005429A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 高熙隆 | 申请(专利权)人: | 中山德华芯片技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 伍传松 |
地址: | 528437 广东省中山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种嵌套式石墨盘,包括下层石墨盘,下层石墨盘的表面设有凹坑,凹坑的内壁面设有若干定位块;上层石墨盘,上层石墨盘嵌套在凹坑内,上层石墨盘的侧壁设有与定位块相配合的定位槽,上层石墨盘的上表面设有用于放置衬底的凹槽,下表面设有若干不同高度的台面,台面与下层石墨盘之间形成一层间隙距离不同的空气层;本发明的嵌套式石墨盘,能够使石墨盘与衬底间温度保持一致,实现半导体材料均匀生长。 | ||
搜索关键词: | 一种 嵌套 石墨 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的