[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管的终端结构及其设计方法在审
| 申请号： | 202110217383.8 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN112967931A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李照;侯斌;王健;刘威;杨晓文 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/04;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管的终端结构及其设计方法，该设计方法首先根据若干种场环终端结构，根据仿真结果确定出场环终端结构，再在确定出的场环终端结构基础上获得场版终端结构，在此基础上调整场环的数量，当最终的仿真结果在设计要求和经济要求都满足条件的情况下，确定出最终的碳化硅肖特基二极管的终端结构。该新型终端结构是一种复合型终端结构，在该终端结构上既有场环也有场版，应用该复合终端结构的碳化硅肖特基二极管击穿电压显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 肖特基 二极管 终端 结构 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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