[发明专利]一种低导通压降肖特基二极管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110217571.0 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113013259A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 赵杰;王英民;孙有民;王成熙;王清波 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低导通压降肖特基二极管结构及其制备方法，该结构在N型外延层中设置环状的P型增压环、N型引出区和N型区表面接触区，本发明为充分降低N型引出区串联电阻，设计环形结构的N型引出区，通过扩散工艺形成高浓度的N型深磷层，该工艺形成的肖特基二极管由于从N型表面接触区到N+埋层之间增加了高浓度的深磷层，即N型引出区，能有效降低二者之间的外延层串联电阻，增大接触面积，从而获得更低的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低导通压降肖特基 二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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