[发明专利]一种GAAFET器件的沟道结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110217788.1 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113035941B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;亨利·H·阿达姆松;林鸿霄;孔真真;罗雪;张青竹;殷华湘;余嘉晗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 吴利芳 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GAAFET器件的沟道结构及其制备方法，属于半导体工艺技术领域，能够提供集成度更高、栅控更好的器件。本发明的沟道结构包括硅衬底、沟道层以及多层硅层和多层支撑层，多层硅层依次层叠在硅衬底上，支撑层设于硅衬底与硅层之间和相邻两层硅层之间，沟道层设于硅层的表面，PMOS器件沟道层为单晶SiGeSn层，此时低组分的Sn有利于空穴迁移率的提高，NMOS器件沟道层是在释放后的Si纳米片上面依次性外延的SiGe/Si，Ge的浓度小于或等于0.3，此时Si为应变硅，有利于电子迁移率的提升。本发明的制备方法包括如下步骤：提供一硅衬底；在硅衬底上形成硅层和支撑层；在硅层的表面形成沟道层。本发明的沟道结构及其制备方法可用于GAAFET器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaafet 器件 沟道 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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