[发明专利]半导体结构的制作方法

摘要

本发明实施例提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底；采用原子层沉积工艺，在所述基底上形成氮化硅膜层，所述原子层沉积工艺包括多个循环沉积步骤，在每个所述循环沉积步骤中向所述基底表面提供硅源气体和氮源气体；其中，在每个所述循环沉积步骤之前，还包括修复步骤，所述修复步骤中，向所述基底表面提供含氢的修复气体，所述修复气体包含极性分子，以修复所述基底表面的损伤。本发明实施例有利于修复基底表面的损伤，从而有利于提高半导体结构的良率和电学性能。