[发明专利]基于层理发育储层的约束滤波校正电阻率的方法有效
| 申请号： | 202110219342.2 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN112882112B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 廖勇;曾芙蓉;李光泉;田海涛;陈四平;冯爱国;蒋恕;饶海涛;沈金才;何浩然;石文睿;张新华;季运景;曾保林;石元会;陈国辉;汪钰波;叶鑫 | 申请（专利权）人： | 中国石油化工集团有限公司;中石化石油工程技术服务有限公司;中石化江汉石油工程有限公司;中石化经纬有限公司;中石化经纬有限公司江汉测录井分公司 |
| 主分类号： | G01V3/18 | 分类号： | G01V3/18;G01V3/38 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 涂洁 |
| 地址： | 100728 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于层理发育储层的约束滤波校正电阻率的方法，解决了现有层理发育储层的电阻率往往呈现低阻尖峰状，严重影响西门杜公式计算含水饱和度的精度。方法包括1)获取待计算井层理发育储层段的测井资料；2)计算滤波偏移系数RTFO；3)得到校正后的电阻率RTT和4)输出计算结果。本发明方法能够有效校正层理发育储层的电阻率，为层理发育储层的含水饱和度精细计算提供关键参数，操作简便、适用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 层理 发育 约束 滤波 校正 电阻率 方法 | ||
【主权项】：
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