[发明专利]半导体封装设备和其制造方法在审
| 申请号： | 202110219778.1 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113314517A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 庄劭萱;张皇贤;黄敏龙 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01;H01L49/02;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体封装设备包含第一导电壁、第二导电壁、第一绝缘壁、介电层、第一电极和第二电极。所述第一绝缘壁安置在所述第一导电壁与所述第二导电壁之间。所述介电层具有第一部分，所述第一部分覆盖所述第一导电壁的底表面、所述第二导电壁的底表面和所述第一绝缘壁的底表面。所述第一电极电连接到所述第一导电壁。所述第二电极电连接到所述第二导电壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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