[发明专利]一种芯体结构以及压力传感器在审
申请号: | 202110220044.5 | 申请日: | 2021-02-27 |
公开(公告)号: | CN113029430A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 王小平;曹万;王红明;李凡亮;张超军;施涛 | 申请(专利权)人: | 武汉飞恩微电子有限公司 |
主分类号: | G01L13/02 | 分类号: | G01L13/02;G01L19/14;G01L19/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种芯体结构以及压力传感器,该芯体结构包括烧结座、具有预压结构的第一金属隔膜和第二金属隔膜以及压力芯片,所述烧结座沿第一方向间隔设有开口朝向第二方向的第一腔室和第二腔室,所述烧结座内形成有连接通道,所述第二腔室在与所述连接通道的连通处形成有连接口,所述第一金属隔膜和所述第二金属隔膜分别安装在所述第一腔室和所述第二腔室的内侧壁,以将所述第一腔室和所述第二腔室分别隔成沿第二方向上的上腔和下腔,所述第一腔室的下腔和所述第二腔室的下腔分别用于接入第一流体压力和第二流体压力,压力芯片设于所述连接口并封接所述连接口。 | ||
搜索关键词: | 一种 结构 以及 压力传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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