[发明专利]一种芯片的制作方法在审
| 申请号： | 202110224045.7 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN112904661A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 赵晗 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F1/44;H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹秀 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种芯片的制作方法，包括：提供第一版图，所述第一版图上具有至少一个第一区域和第二区域，所述第一区域具有第一图形，所述第二区域具有至少一个第二图形；对所述第一版图进行修正得到第二版图；利用所述第二版图制作光罩，所述光罩上具有第三图形和第四图形，所述第四图形用于检测所述光罩制作工艺的稳定性；利用所述光罩制作芯片，所述芯片上具有晶圆结构和检测结构，所述检测结构与所述第四图形能够用于检测所述芯片过程中产生的误差。由此可见，本申请实施例提供的芯片制作方法能够检测芯片制作各个环节中的误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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