[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及半导体器件在审
| 申请号： | 202110224048.0 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113035957A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 杨忙;张玉静;陈尚志 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 250101 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管及半导体器件,通过在鳍式场效应晶体管制程中二极管中形成由第一导电类型阱层、第二导电类型深阱层和第二导电类型阱层组成的二极管结构，进而能够减小鳍式场效应晶体管制程中二极管的泄露电流情况；并且通过第一导电类型阱层、第二导电类型阱层和第二导电类型深阱层的占用面积的优化设计，不仅提高了鳍式场效应晶体管制程中二极管的性能，同时优化了鳍式场效应晶体管中二极管的设计，减少了其版图设计的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
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