[发明专利]单晶硅棒间隙氧含量的测量方法及装置有效
| 申请号： | 202110226443.2 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113030000B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 兰洵;全铉国 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/3563 | 分类号： | G01N21/3563 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;张博 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单晶硅棒间隙氧含量的测量方法及装置，属于半导体技术领域。单晶硅棒间隙氧含量的测量方法包括：沿单晶硅棒的长度方向，利用红外线测量待测单晶硅棒预设位置处的间隙氧含量吸收系数；获取待测单晶硅棒预设位置处的校准因子；根据所述校准因子和所述间隙氧含量吸收系数计算所述待测单晶硅棒预设位置处的间隙氧含量。本发明能够准确测量单晶硅棒的间隙氧含量。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 间隙 含量 测量方法 装置 | ||
【主权项】：
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