[发明专利]一种磁存储单元和存储器在审
申请号: | 202110229528.6 | 申请日: | 2021-03-02 |
公开(公告)号: | CN113013324A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 孟皓;迟克群 | 申请(专利权)人: | 浙江驰拓科技有限公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L27/22 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 崔翠翠 |
地址: | 311300 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及磁存储领域,公开了一种磁存储单元和磁存储器,包括:磁性隧道结,磁性隧道结包括依次叠堆的自由层、隧穿层、固定层和保护层,自由层和固定层中的磁矩具有垂直各向异性,保护层兼具磁存储单元信息读出时的顶电极;自旋流引入层,磁性隧道结的自由层和所述自旋流引入层接触,用于在写入信息时接入控制电流,且兼具磁存储单元信息读出时的底电极;基底,用于在脉冲电压的作用下产生一个使所述自由层磁矩方向改变的应变;以及电极。本发明根据脉冲电压的正负获取残余应变,并且在自由层磁矩翻转过程中也无需电压一直维持该应变,是一种超低功耗的调整方式。 | ||
搜索关键词: | 一种 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】:
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