[发明专利]硅片刻蚀装置和方法在审
| 申请号： | 202110232436.3 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN112599458A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 谭继东;郭恺辰 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京远创理想知识产权代理事务所(普通合伙) 11513 | 代理人： | 郝杰 |
| 地址： | 710032 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅片刻蚀装置和方法，所述硅片刻蚀装置包括壳体、臭氧供应件、雾化刻蚀液供应件、厚度检测件、控制件和排气管，臭氧供应件能够向壳体的内腔中供应臭氧，雾化刻蚀液供应件能够向壳体的内腔中供应雾化的刻蚀液，厚度检测件能够检测放置在壳体内的硅片被刻蚀表面的厚度变化，排气管安装在壳体上，壳体包括底座、安装在底座上的筒体和安装在筒体上端的上盖，当厚度检测件检测到硅片被刻蚀的厚度达到设定值时，控制件控制臭氧供应件停止供应臭氧，并控制雾化刻蚀液供应件停止供应雾化的刻蚀液。本发明提供的硅片刻蚀装置和方法能够准确控制刻蚀硅片的厚度，并且能够减少刻蚀污染，降低刻蚀成本。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 刻蚀 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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