[发明专利]光学级的钒补偿的4H单晶和6H单晶，以及碳化硅晶体和用于生产其的方法在审
| 申请号： | 202110232966.8 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113337891A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 伊利亚·茨维巴克;瓦拉他拉扬·伦加拉扬;安德鲁·N·苏齐兹;加里·E·鲁兰 | 申请（专利权）人： | II-VI特拉华有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02;C30B29/66;G02B1/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;孙雅雯 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种光学装置，包含钒补偿的高电阻率的6H多型或4H多型SiC单晶，所述SiC单晶用于透射波长在420nm至4.5μm范围内的光。所述装置可以包括窗、透镜、棱镜、或波导。一种系统，包括用于产生波长在420nm至4.5μm范围内的光的源和用于接收和透射所述光的装置，其中所述装置包含钒补偿的高电阻率的6H多型或4H多型SiC单晶。本公开内容还涉及用于光学应用的晶体和方法，所述晶体包含铝掺杂的碳化硅晶体，所述铝掺杂的碳化硅晶体具有残留的氮和硼杂质，其中铝浓度大于氮和硼的组合浓度，以及其中在约400nm至约800nm的波长下的光吸收系数小于约0.4cm |
||
| 搜索关键词： | 光学 补偿 以及 碳化硅 晶体 用于 生产 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于II-VI特拉华有限公司，未经II-VI特拉华有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110232966.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
