[发明专利]一种非晶态氧化铁薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110233101.3 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113135600B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 胡荣;刘玉荣;柳红东 | 申请（专利权）人： | 重庆文理学院 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/48;C01G49/06 |
| 代理公司： | 重庆晶智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 50229 | 代理人： | 李靖 |
| 地址： | 40216*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 一种非晶态氧化铁薄膜的制备方法，包括基底预处理、前驱液配制和薄膜沉积，是将醋酸铁溶解在以醇类有机溶剂和胺类有机溶剂形成的混合有机溶剂中，在5~10℃温度下以700~800rpm搅拌3~5h，然后保持温度不变，将搅拌速率降至400~500rpm持续搅拌2~7h后静置陈化2~6h得前驱液；再将前驱液涂覆在预处理后的基底上，然后将涂覆后的基底置于140~150℃下热处理25~40min。本发明制备出的非晶态氧化铁薄膜，薄膜具有较高的无序性，薄膜的均匀性好，致密性优异，粗糙度低至2.2nm，具有优异的透光性，光透过率高达91.2%，导电性优异，其方阻为13.2~14.1Ω，适用于有机光伏器件电子传输层的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶态 氧化铁 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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