[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 202110238873.6 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN112968036B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 冯雅圣;林宏展;王裕平;陈禹钧;邱久容 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含第一金属间介电层设于基底上、磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)设于该第一金属间介电层上、金属内连线设于MTJ下方并位于第一金属间介电层内以及间隙壁设于MTJ周围。其中第一金属间介电层上表面包含曲面，金属内连线包含第一倾斜侧壁以及第二倾斜侧壁且间隙壁是设于第一倾斜侧壁以及该第二倾斜侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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