[发明专利]一种自对准像素定义层结构及其加工方法在审
| 申请号： | 202110239350.3 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN112750889A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 吕迅 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 曹政 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种自对准像素定义层结构及其加工方法，具有：衬底；阳极，衬底上设有一系列的阳极，相邻阳极之间有间隙；像素定义层，填充相邻阳极之间的间隙；像素定义层的侧壁与阳极的侧壁平齐；像素定义层通过干刻成型，不占用阳极区域，不影响开口面积，有利于提高发光亮度；节省一道光刻工艺，工艺更简单，成本更低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 像素 定义 结构 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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