[发明专利]基于钴/吡咯/介孔碳的固体膜磷酸根离子选择性电极的制备方法与应用有效
| 申请号： | 202110239624.9 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113008965B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 徐宏;赵光耀;聂燕红;韩庆国;胡章立 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | G01N27/333 | 分类号： | G01N27/333;G01N27/30 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 李莹 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了基于钴/吡咯/介孔碳的固体膜磷酸根离子选择性电极的制备方法与应用。该方法包括以下步骤：将六水合氯化钴、吡咯单体、介孔碳按照一定的比例混合制备沉积液；随后在预处理好的玻碳电极表面使用恒电流法一步沉积固体膜制备磷酸根离子选择性电极；得到的电极经磷酸根溶液活化到稳定电位后用于磷酸根的检测。本发明对于磷酸根的检测范围是10 |
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| 搜索关键词： | 基于 吡咯 介孔碳 固体 磷酸 离子 选择性 电极 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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