[发明专利]半导体加工用保护片及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110240424.5 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113471129A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 小笠原孝文;田村和幸 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种即使通过DBG等对具有凹凸的半导体晶圆进行减薄加工时也能充分追随晶圆的凹凸并能够抑制研磨后芯片产生裂纹、且可抑制剥离时产生残胶的半导体加工用保护片。该半导体加工用保护片为具有基材、且在基材的一个主面上依次具有中间层和粘着剂层的半导体加工用保护片，中间层及粘着剂层为能量射线固化性，50℃时的能量射线固化前的半导体加工用保护片的杨氏模量为600MPa以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工用 保护 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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