[发明专利]用于PECVD设备的加热装置、真空镀膜设备和加热方法在审
| 申请号： | 202110240995.9 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN112951744A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 左国军;梁建军;朱海剑 | 申请（专利权）人： | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18;C23C16/48;C23C16/50;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 汪海屏 |
| 地址： | 213133 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于PECVD设备的加热装置、真空镀膜设备和加热方法，加热装置包括：真空腔体；装载组件，设置在真空腔体内，装载组件用于装载待加热件；加热组件，至少部分设置在真空腔体内，加热组件包括辐射源，辐射源与真空腔体转动连接，且与装载组件对应设置；其中，加热组件通过辐射源对待加热件进行辐射加热。本发明的技术方案中，由于辐射源与真空腔体转动连接，这样使得辐射源具有旋转功能，能够调整辐射源的热辐射角度，从而增加其热辐射的范围和热辐射的均匀性，实现了对硅片的动态加热和均匀加热，进而使得硅片在加热时的整体温度更加均匀，保证了良好的工艺效果。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 pecvd 设备 加热 装置 真空镀膜 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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