[发明专利]硅通孔结构、封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110241338.6 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113035810B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;朱宝;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅通孔结构，包括硅衬底间隔设有若干通孔；隔离介质，设于硅衬底的上表面、硅衬底的下表面和若干通孔的内侧面；扩散阻挡层，位于若干通孔内，扩散阻挡层设于所述隔离介质；第一籽晶层，设于所述扩散阻挡层；导电层，设于所述第一籽晶层；所述隔离介质、所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层依次层叠将若干所述通孔填充，相邻的若干所述通孔之间开设有上下贯通的中空部，由于若干个硅通孔结构是相互并联连接的，所以当一个硅通孔结构出现损坏时，仍然可实现电连接，从而增加了硅通孔结构的可靠性，更优的，相邻的通孔之间开设有上下贯通的中空部，有利于硅通孔结构的散热。另外，本发明还提供了封装结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 结构 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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